晶圓從單晶硅棒拉制完成經(jīng)歷了切片、研磨、拋光等加工工序，中間接觸了拋光劑、研磨料等各種化學(xué)試劑，同時還受到了微粒的污染，因此最后需要將這些雜質(zhì)清除干凈。

　　當分子型雜質(zhì)吸附在硅片表面時，化學(xué)清洗首先清洗這些有機雜質(zhì)，可用四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、丙酮、無水乙醇等有機溶劑，也可采用濃硫酸碳化、硝酸或堿性過氧化氫洗液氧化等方法去除。

　　離子型和原子型吸附的雜質(zhì)用鹽酸、硫酸、硝酸或堿性過氧化氫洗液以清洗掉離子型吸附雜質(zhì)，然后再用王水或酸性過氧化氫清洗掉殘存的離子型雜質(zhì)及原子型雜質(zhì)，最后用高純水將硅片沖洗干凈。

　　綜上，清洗硅片的一般步驟為：去分子型雜質(zhì)→去離子型雜質(zhì)→去原子型雜質(zhì)→高純水清洗。

化學(xué)清洗機：采用氫氟酸、鹽酸、硝酸等酸性藥劑處理，或者一些堿性清洗液處理產(chǎn)品，設(shè)備的槽體、機架材質(zhì)選用耐腐蝕性的材料，整體設(shè)計需要考慮廢氣、廢水排放的特殊清洗機

主要應(yīng)用在半導(dǎo)體材料前端的處理，光伏產(chǎn)品的前期處理，以及一些其他行業(yè)，需要用到酸堿清洗工藝的，都可以算在此列

適用于半導(dǎo)體產(chǎn)品酸洗、超聲波清洗、二流體清洗，干燥